ASTM F723-1999 掺硼、掺磷、掺砷杂质硅片的电阻率与掺杂密度换算的标准实施规范

作者:标准资料网 时间:2024-05-25 12:57:00  浏览:9433   来源:标准资料网

【英文标准名称】:StandardPracticeforConversionBetweenResistivityandDopantDensityforBoron-Doped,Phosphorus-Doped,andArsenic-DopedSilicon
【原文标准名称】:掺硼、掺磷、掺砷杂质硅片的电阻率与掺杂密度换算的标准实施规范
【标准号】:ASTMF723-1999
【标准状态】:作废
【国别】:
【发布日期】:1999
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(US-ASTM)
【起草单位】:F01.06
【标准类型】:(Practice)
【标准水平】:()
【中文主题词】:电阻器;掺杂剂;硅;磷;硼;工艺;变换;密度;电子工程
【英文主题词】:boron;dopantdensity;phosphorus;resistivity;silicon
【摘要】:ThisstandardwastransferredtoSEMI(www.semi.org)May20031.1Thispracticedescribesaconversionbetweendopantdensityandresistivityforboron-andphosphorus-dopedsinglecrystalsiliconat23176C.Theconversionsarebasedprim
【中国标准分类号】:H82
【国际标准分类号】:29_045
【页数】:15P.;A4
【正文语种】: